Новая 3D-память от Intel в 1000 раз быстрее флэшек

Intel и Micron представили технологию хранения данных 3D XPoint, а новые чипы, как сообщили разработчики, смогут ускорить всё, начиная смартфонов и ноутбуков, заканчивая датацентрами и суперкомьютерами, однако это произойдет не ранее чем в 2016 году.

Читать далее

В новом чипе отказались от традиционных транзисторов, которые составляют ядро ​​современной флэш-памяти, технология основана на трёхмерной архитектуре и в ней не используется электрический заряд для хранения данных. 3D XPoint является новым классом памяти и не позиционируется как доработка NAND или DRAM.

Intel придумала, как обращаться к каждому элементу отдельно, а потому скорость чтения 3D XPoint в 1000 раз быстрее чем у флэш-памяти на основе ячеек NAND, а чип проработает в среднем в 100 раз дольше остальных. Особый дизайн штриховки позволяет Intel хранить данные в 10 раз плотнее, нежели в NAND.

Ожидается, что новые чипы будут использоваться при обработке больших массивов данных в реальном времени. Чипы уже запущены в производство.