IBM сообщила о создании первых рабочих образцов 5-нанометровых чипов — всего лишь спустя два года после создания тестового 7-нанометрового процессора, сообщает Digital Trends.
В разработке принимали участие производитель полупроводников GlobalFoundries и корейская корпорация Samsung. Разработка IBM использует специальные кремниевые нанолисты вместо традиционной структуры FinFET, которая появилась в 22- и 14-нм полупроводниках. Это первый случай, когда нанолисты показали практические преимущества над FinFET. Исследователям удалось вместить в компактный процессор до 30 млрд транзисторов.
Увеличение плотности расположения транзисторов ускоряет прохождение сигнала. В результате растёт производительность — по утверждению IBM, она на 40 процентов выше современных 10-нм чипов. Это будет особенно полезно при обработке больших объёмов данных, связанных с интернетом вещей, когнитивными вычислениями.
Кроме этого, новая архитектура снижает и потребление энергии — новинка требует на 75 процентов меньше при сравнимой интенсивности работы. При использовании новых чипов в смартфонах и других устройствах продолжительность работы от одной зарядки может увеличиться в два-три раза.
Коммерческое использование новых микросхем начнётся не ранее 2020 года, а сама IBM обещает раскрыть больше подробностей о 5-нм чипах на конференции 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits, проходящей в японском Токио.
Рэлацыраваліся? Цяпер вы можаце каментаваць без верыфікацыі акаўнта.