Кітайскія навукоўцы распрацавалі тэхналогію, якая набліжае вытворчасць 1-нм чыпаў
Навукоўцы Пекінскага ўніверсітэта стварылі тэхналогію вытворчасці падкладак з атамарна тонкімі паўправадніковымі слаямі.
Навукоўцы Пекінскага ўніверсітэта стварылі тэхналогію вытворчасці падкладак з атамарна тонкімі паўправадніковымі слаямі.
Навукоўцы Пекінскага ўніверсітэта стварылі тэхналогію вытворчасці падкладак з атамарна тонкімі паўправадніковымі слаямі.
Сучасныя тэхналогіі нарошчвання слаёў на падкладках працуюць па прынцыпе аблогі матэрыялу з пункта распылення на паверхню. Такім спосабам немагчыма нанесці плёнку таўшчынёй у адзін атам на буйныя пласціны — толькі на невялікія да 2 цаляў у дыяметры.
Кітайскія навукоўцы распрацавалі тэхналогію, якая нарошчвае атамарны слой на любых падкладках аж да 300-мм. У аснове тэхналогіі ляжыць кантактны метад вырошчвання плёнкі: актыўны матэрыял уваходзіць у кантакт з падкладкай па ўсёй паверхні адразу.
Таксама даследчыкі стварылі праект устаноўкі для вырошчвання тонкіх плёнак у масавых аб’ёмах. Адна такая ўстаноўка можа выпускаць да 10 тысяч 300-мм падкладак на год. Тэхналогія падыходзіць для пакрыцця падкладак графенам, што дазволіць укараніць матэрыял у вытворчасць чыпаў.
Цяпер 2D-матэрыялы таўшчынёй у адзін атам толькі даследуюцца для выкарыстання ў структурах транзістараў і ў іншых якасцях. Да масавай вытворчасці падобных рашэнняў яшчэ далёка, аднак гэта найважнейшы кірунак, якое дазволіць здзейсніць прарыў у мікраэлектроніцы.
Рэлацыраваліся? Цяпер вы можаце каментаваць без верыфікацыі акаўнта.
Китайцы очень настойчивы в достижении своих целей. Никто не отрицает, что им было тяжело и будет тяжело всегда, но своей задницей успеха они добьются. Дожмут...