Китайские ученые разработали технологию, которая приближает производство 1-нм чипов

Современные технологии наращивания слоев на подложках работают по принципу осаждения материала из точки распыления на поверхность. Таким способом невозможно нанести пленку толщиной в один атом на крупные пластины — только на небольшие до 2 дюймов в диаметре.

Китайские ученые разработали технологию, которая наращивает атомарный слой на любых подложках вплоть до 300-мм. В основе технологии лежит контактный метод выращивания пленки: активный материал входит в контакт с подложкой по всей поверхности сразу.

Также исследователи создали проект установки для выращивания тонких пленок в массовых объемах. Одна такая установка может выпускать до 10 тысяч 300-мм подложек в год. Технология подходит для покрытия подложек графеном, что позволит внедрит материал в производство чипов.

Сейчас 2D-материалы толщиной в один атом только исследуются для использования в структурах транзисторов и в других качествах. До массового производства подобных решений еще далеко, однако это важнейшее направление, которое повзолит совершить прорыв в микроэлектронике.