Samsung представила модули памяти DDR5 на 512 ГБ с пропускной способностью до 7200 Мбит/с
Samsung разработала первые в отрасли модули памяти DDR5 ёмкостью 512 Гб. Они ориентированы на обработку задач искусственного интеллекта, машинного обучения, гипермасштабных вычислений, аналитики, сетевых решений и других рабочих нагрузок с большим объёмом данных, сообщает ITC.
Новые модули памяти основаны на технологии HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов. Эта же технология применяется для изготовления модулей видеопамяти GDDR6. Она позволяет на 13% снизить энергопотребление DDR5 по сравнению с предыдущим стандартом памяти.
Новые модули обеспечивают двукратный прирост производительности по сравнению с DDR4 и достигают скорости передачи данных для каждого контакта 7200 Мбит/с. Каждый модуль включает 32 чипа памяти DRAM. Чипы представляют собой 8-слойные конструкции, состоящие из пластин DRAM ёмкостью по 16 Гбит, которые объединены с помощью соединения TSV (Through-Silicon-Via).
Samsung уже начала тестировать новые модули и намерена завершить испытания и сертификацию к тому времени, когда на рынок начнут поступать серверные системы с поддержкой памяти DDR5.
Читать на dev.by