Кітайскія навукоўцы распрацавалі тэхналогію, якая набліжае вытворчасць 1-нм чыпаў

Сучасныя тэхналогіі нарошчвання слаёў на падкладках працуюць па прынцыпе аблогі матэрыялу з пункта распылення на паверхню. Такім спосабам немагчыма нанесці плёнку таўшчынёй у адзін атам на буйныя пласціны — толькі на невялікія да 2 цаляў у дыяметры.

Кітайскія навукоўцы распрацавалі тэхналогію, якая нарошчвае атамарны слой на любых падкладках аж да 300-мм. У аснове тэхналогіі ляжыць кантактны метад вырошчвання плёнкі: актыўны матэрыял уваходзіць у кантакт з падкладкай па ўсёй паверхні адразу.

Таксама даследчыкі стварылі праект устаноўкі для вырошчвання тонкіх плёнак у масавых аб’ёмах. Адна такая ўстаноўка можа выпускаць да 10 тысяч 300-мм падкладак на год. Тэхналогія падыходзіць для пакрыцця падкладак графенам, што дазволіць укараніць матэрыял у вытворчасць чыпаў.

Цяпер 2D-матэрыялы таўшчынёй у адзін атам толькі даследуюцца для выкарыстання ў структурах транзістараў і ў іншых якасцях. Да масавай вытворчасці падобных рашэнняў яшчэ далёка, аднак гэта найважнейшы кірунак, якое дазволіць здзейсніць прарыў у мікраэлектроніцы.