Neuralink упершыню ўжывіла чып у мозг чалавека
Кампанія ўпершыню правяла аперацыю па ўжыўленні ў галаўны мозг пацыента імпланта, які дазваляе наладзіць узаемадзеянне з камп’ютарам.
Кампанія ўпершыню правяла аперацыю па ўжыўленні ў галаўны мозг пацыента імпланта, які дазваляе наладзіць узаемадзеянне з камп’ютарам.
Кампанія ўпершыню правяла аперацыю па ўжыўленні ў галаўны мозг пацыента імпланта, які дазваляе наладзіць узаемадзеянне з камп’ютарам.
Паводле слоў Ілана Маска, першы чалавек атрымаў імплант Neuralink і цяпер ідзе на папраўку пасля аперацыі. Невялікі імплант цыліндрычнай формы ўсталёўваюць у адтуліну ў чарапной каробцы чалавека, з галаўным мозгам ён злучаецца найтанчэйшымі электродамі. Імплант ужо рэгіструе актыўнасць нейронаў пацыента.
Пацыентаў адбіраюць сярод тых, хто мае цяжкія парушэнні маторных функцый. Праз гэта людзі не могуць рухаць канцавінамі самастойна. Кампанія разлічвае наладзіць інтэрфейс паміж чалавечым мозгам і камп’ютарам такім чынам, каб пацыент змог эфектыўна кіраваць біянічнымі пратэзамі або экзашкілетам, а ў будучыні — уласнымі канцавінамі.
Спачатку кампанія хацела пачаць выпрабаванні імпланта на людзях пры канцы 2019 года, але дазвол удалося атрымаць толькі ў 2023 годзе. Сёлета такія аперацыі будуць праведзеныя на 11 пацыентах. У выпадку поспеху клінічных выпрабаванняў імплант Telepathy запусцяць у серыйную вытворчасць. Мяркуецца, што з яго дапамогай чалавек зможа кіраваць інтэрфейсам у смартфоне або камп’ютары.
Рэлацыраваліся? Цяпер вы можаце каментаваць без верыфікацыі акаўнта.
Мечта режима Беларуси. Толпа послушных и безмолвных ротоботов пасут свинней, доят коров, пашут поля и голосуют как скажут.
Киберпанк. Начало.
Прогнозирование сроков появления новых видов памяти, которые станут дешевле существующих, зависит от множества факторов: технологического прогресса, экономической целесообразности, спроса на рынке и возможностей массового производства. Однако можно выделить несколько перспективных направлений и примерные сроки их коммерциализации:
STT-MRAM (магниторезистивная память)
Уже используется в ограниченном виде, но может стать массовой в 2025–2030 годах, если снизятся затраты на производство.
Потенциальный конкурент DRAM и SRAM за счёт скорости и энергоэффективности.
ReRAM (резистивная память)
Активно разрабатывается, первые коммерческие продукты появились. Массовое удешевление ожидается в 2027–2035 годах.
Может заменить NAND, если снизится стоимость производства.
FeRAM (ферроэлектрическая память)
Дорогая в производстве, но имеет потенциал в области энергосберегающей памяти. Ожидаемая массовая доступность: 2030–2040 годы.
PCM (фазопеременная память)
Развивается более 20 лет, но пока не вытеснила NAND. Массовое удешевление возможно в 2030–2040 годах, если появятся прорывные технологии.
Память на основе атомов (например, атомы гольмия, графеновые системы и квантовые ячейки)
Пока далека от практического использования. Ожидать доступности ранее 2045–2055 годов не стоит.
В ближайшие 5–10 лет наиболее вероятно удешевление STT-MRAM и ReRAM, но кардинальные изменения на рынке памяти ожидаются в 2030–2040-х годах.