Отдел новостей 16 декабря 2021, 13:26

IBM и Samsung придумали технологию, на которой смартфоны будут работать неделю без подзарядки

IBM и Samsung представили новый метод вертикального размещения транзисторов на чипе, пишет The Verge.

Прорывная технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) позволит уплотнить транзисторы, увеличив их количество на чипах.

До выпуска устройств с процессорами на её основе пока далеко, считает издание — о её запуске в производство на специализированной конференции IEDM в Сан-Франциско не упоминалось. Но разработчики утверждают, что VTFET-чипы будут в 2 раза превосходить по производительности или на 85% — по энергоэффективности современные FinFET-чипы, в которых транзисторы наносятся горизонтально.

По словам компаний, благодаря VTFET-технологии появятся аккумуляторы для смартфонов, которые смогут работать на одной зарядке не один день, а неделю, и будут менее прожорливыми на затратных по электроэнергии задачах вроде криптомайнинга и шифрования данных. Также она откроет путь к созданию более мощных IoT-устройств и даже космических аппаратов.