IBM и Samsung придумали технологию, на которой смартфоны будут работать неделю без подзарядки

Прорывная технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) позволит уплотнить транзисторы, увеличив их количество на чипах.

До выпуска устройств с процессорами на её основе пока далеко, считает издание — о её запуске в производство на специализированной конференции IEDM в Сан-Франциско не упоминалось. Но разработчики утверждают, что VTFET-чипы будут в 2 раза превосходить по производительности или на 85% — по энергоэффективности современные FinFET-чипы, в которых транзисторы наносятся горизонтально.

По словам компаний, благодаря VTFET-технологии появятся аккумуляторы для смартфонов, которые смогут работать на одной зарядке не один день, а неделю, и будут менее прожорливыми на затратных по электроэнергии задачах вроде криптомайнинга и шифрования данных. Также она откроет путь к созданию более мощных IoT-устройств и даже космических аппаратов.

Поддержите редакцию 1,5% налога: бесплатно и за 5 минут

Как помочь, если вы в Польше