С помощью нового метода поатомного производства инженеры из Университета Колорадо и Массачусетского технологического построили транзистор размером всего 2,5 нм, сообщает TechSpot.
Для создания предметов настолько малого размера учёные применили модифицированную технологию термического травления на атомарном уровне. Она немногим отличается от существующих коммерческих применений, но, по мнению исследователей, в масштабах массового производства позволит достичь ещё большей мощности и точности.
Учёные формировали слои индивидуально упорядоченных атомов. Повторив операцию несколько сотен раз, они слой за слоем построили целый транзистор. При травлении за один проход убиралось лишь 0,02 нм материала. По словам разработчиков, это обеспечивает сверхвысокую точность и полный контроль над процессом.
Поперечный срез транзистора размером менее 3 нм
Дополнительное преимущество технологии в том, что материалы реже подвергаются воздействию внешней среды, а значит, будут меньше окисляться. Результат — более высокое качество транзисторов с лучшей устойчивостью к дефектам.
В среднем транзисторы имели габариты менее 5 нм в ширину и около 220 нм в высоту. Улучшение крутизны — мера энергии, которая требуется для преобразования напряжения в ток для вычислений, — по сравнению с существующими FinFET-транзисторами составило 60 процентов.
Рэлацыраваліся? Цяпер вы можаце каментаваць без верыфікацыі акаўнта.